MOSFET STMicroelectronics STL8N10LF3, VDSS 100 V, ID 20 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
STripFET F3
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.2mm
Largo
6.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20,5 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
0.95mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 3.375.000
$ 1.125 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 4.016.250
$ 1.338,75 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.2mm
Largo
6.15mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20,5 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
0.95mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
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País de Origen
China
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