MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL60N10F7, VDSS 100 V, ID 60 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
60A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
PowerFLAT
Series
STripFET H7
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
16.5mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
5W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
25nC
Tensión directa Vf
1.1V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
6.35 mm
Altura
0.95mm
Longitud
5.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
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MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
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Series
STripFET H7
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Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
16.5mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
5W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
25nC
Tensión directa Vf
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Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
6.35 mm
Altura
0.95mm
Longitud
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No
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No
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