Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Series
STripFET H7
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
6.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Altura
0.95mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 3.765
$ 753 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
$ 4.480
$ 896,07 Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)
Estándar
5
$ 3.765
$ 753 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
$ 4.480
$ 896,07 Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)
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5
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Cinta |
|---|---|---|
| 5 - 45 | $ 753 | $ 3.765 |
| 50 - 95 | $ 655 | $ 3.275 |
| 100+ | $ 602 | $ 3.010 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Series
STripFET H7
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
6.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Altura
0.95mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


