Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
60A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT
Series
STripFET H7
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
16.5mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
5W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
25nC
Tensión directa Vf
1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Ancho
6.35 mm
Altura
0.95mm
Largo
5.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 3.765
$ 753 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
$ 4.480
$ 896,07 Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)
Estándar
5
$ 3.765
$ 753 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
$ 4.480
$ 896,07 Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)
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Estándar
5
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Cinta |
|---|---|---|
| 5 - 45 | $ 753 | $ 3.765 |
| 50 - 95 | $ 655 | $ 3.275 |
| 100+ | $ 602 | $ 3.010 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
60A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT
Series
STripFET H7
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
16.5mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
5W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
25nC
Tensión directa Vf
1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Ancho
6.35 mm
Altura
0.95mm
Largo
5.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


