MOSFET STMicroelectronics STL4N80K5, VDSS 800 V, ID 2,5 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 792-5903Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STL4N80K5
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Series

MDmesh K5, SuperMESH5

Tipo de Encapsulado

PowerFLAT 5 x 6

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

38000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Anchura

5.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

6.35mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10,5 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

0.95mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MDmesh™ de canal N serie K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 4.475

$ 895 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)

$ 5.325

$ 1.065,05 Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)

MOSFET STMicroelectronics STL4N80K5, VDSS 800 V, ID 2,5 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple
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Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 4.475
10$ 8.950
15$ 13.425
20$ 17.900
25$ 22.375
30$ 26.850
35$ 31.325
40$ 35.800
45$ 40.275
50$ 43.000
55$ 47.300
60$ 51.600
65$ 55.900
70$ 60.200
75$ 64.500

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5

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30$ 26.850
35$ 31.325
40$ 35.800
45$ 40.275
50$ 43.000
55$ 47.300
60$ 51.600
65$ 55.900
70$ 60.200
75$ 64.500

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Cinta
5 - 45$ 895$ 4.475
50 - 95$ 860$ 4.300
100+$ 781$ 3.905

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2.5 Ω

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5V

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3V

Disipación de Potencia Máxima

38000 mW

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Anchura

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Material del transistor

Si

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1

Largo

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