Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Series
MDmesh K5, SuperMESH5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
38000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Largo
6.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,5 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.4mm
Altura
0.95mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie K5, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
$ 3.483.000
$ 1.161 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 4.144.770
$ 1.381,59 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
$ 3.483.000
$ 1.161 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
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$ 1.381,59 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
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Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
2.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Series
MDmesh K5, SuperMESH5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
38000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Largo
6.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,5 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.4mm
Altura
0.95mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto


