Transistor MOSFET STMicroelectronics STL45N60DM6, VDSS 600 V, ID 25 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 8 x 8 HV
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
8.1mm
Largo
8.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
44 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
Altura
0.9mm
País de Origen
China
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$ 12.570.000
$ 4.190 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 14.958.300
$ 4.986,10 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
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N
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PowerFLAT 8 x 8 HV
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
110 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
8.1mm
Largo
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
44 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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