MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 42 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type P
Corriente continua máxima de drenaje ld
42A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT
Series
STripFET
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
34mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
100W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
30nC
Tensión directa Vf
1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Ancho
5.4 mm
Altura
0.95mm
Largo
6.35mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 3.270.000
$ 1.090 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 3.891.300
$ 1.297,10 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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Corriente continua máxima de drenaje ld
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PowerFLAT
Series
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Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
34mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
100W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
30nC
Tensión directa Vf
1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Ancho
5.4 mm
Altura
0.95mm
Largo
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No
Estándar de automoción
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Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
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