MOSFET STMicroelectronics STL42P6LLF6, VDSS 60 V, ID 42 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
42 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
34 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
100000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
6.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Altura
0.95mm
Serie
STripFET
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 1.394,68
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3000
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P
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
34 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
100000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
5.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Longitud:
6.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC @ 4.5 V
Altura
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Serie
STripFET
Tensión de diodo directa
1.1V
Datos del producto
MOSFET de potencia STripFET™ de canal P, STMicroelectronics
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