Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
40A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
30V
Encapsulado
PowerFLAT
Serie
STripFET
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
25mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
50W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
4.5nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22V
Tensión directa Vf
1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Configuración de transistor
Single
Altura
0.95mm
Longitud
6.2mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
5.1mm
Número de elementos por chip
1
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics STripFET™ H5 technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class.
Volver a intentar más tarde
$ 14.630
$ 1.463 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 17.410
$ 1.740,97 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)
Estándar
10
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Estándar
10
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 10 - 40 | $ 1.463 | $ 14.630 |
| 50 - 90 | $ 1.391 | $ 13.910 |
| 100 - 240 | $ 1.251 | $ 12.510 |
| 250 - 490 | $ 1.126 | $ 11.260 |
| 500+ | $ 1.069 | $ 10.690 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
40A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
30V
Encapsulado
PowerFLAT
Serie
STripFET
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
25mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
50W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
4.5nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
22V
Tensión directa Vf
1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Configuración de transistor
Single
Altura
0.95mm
Longitud
6.2mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
5.1mm
Número de elementos por chip
1
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
This device is an N-channel Power MOSFET developed using STMicroelectronics STripFET™ H5 technology. The device has been optimized to achieve very low on-state resistance, contributing to a FoM that is among the best in its class.