MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 100 V, ID 30 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
30A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
PowerFLAT
Series
STripFET H7
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
35mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
75W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
14nC
Tensión directa Vf
1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Anchura
5.4 mm
Altura
0.95mm
Largo
6.35mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 2.055.000
$ 685 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 2.445.450
$ 815,15 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
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Series
STripFET H7
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
35mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
75W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
14nC
Tensión directa Vf
1.1V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Anchura
5.4 mm
Altura
0.95mm
Largo
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Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
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