Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 8 x 8 HV
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
215 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
8.1mm
Largo
8.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
0.9mm
País de Origen
China
Volver a intentar más tarde
$ 6.864.000
$ 2.288 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 8.168.160
$ 2.722,72 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
$ 6.864.000
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3000
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Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 8 x 8 HV
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
215 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
8.1mm
Largo
8.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
0.9mm
País de Origen
China


