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¿Qué busca?
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
15A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
PowerFLAT
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
5
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
215mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
24nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
900μm
Largo
8.1mm
Certificaciones y estándares
RoHS complaint
Anchura
8.1mm
Estándar de automoción
AEC-Q200
País de Origen
China
Datos del producto
Este MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida DM6 de MDmesh™. En comparación con la generación rápida anterior de MDmesh, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con un comportamiento de conmutación eficaz para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.
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¡Sin cuotas escondidas!
Volver a intentar más tarde
$ 6.864.000
$ 2.288 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 8.168.160
$ 2.722,72 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
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