sin IVA
con IVA
¿Qué busca?
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
220A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
80V
Encapsulado
PowerFLAT
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
1.6mΩ
Modo de canal
Enhancement Mode
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20V
Tensión directa Vf
1.2V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Longitud
6mm
Altura
1mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
5mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
Singapore
Datos del producto
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics está diseñado para ofrecer un rendimiento eficiente en diversas aplicaciones de potencia. Dispone de especificaciones robustas adecuadas para altas demandas de corriente en encapsulado compacto.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
P.O.A.
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3000
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STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de Canal
N
Corriente continua máxima de drenaje ld
220A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
80V
Encapsulado
PowerFLAT
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
1.6mΩ
Modo de canal
Enhancement Mode
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20V
Tensión directa Vf
1.2V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Longitud
6mm
Altura
1mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
5mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
Singapore
Datos del producto
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics está diseñado para ofrecer un rendimiento eficiente en diversas aplicaciones de potencia. Dispone de especificaciones robustas adecuadas para altas demandas de corriente en encapsulado compacto.