MOSFET STMicroelectronics STL140N6F7, VDSS 60 V, ID 140 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple

Name: MOSFET STMicroelectronics STL140N6F7, VDSS 60 V, ID 140 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple
Brand: STMicroelectronics
SKU: 9074766P

Código de producto RS: 907-4766PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STL140N6F7

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

Corriente Máxima Continua de Drenaje

140 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Series

STripFET F7

Tipo de Encapsulado

PowerFLAT 5 x 6

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

Largo

6.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

55 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Anchura

5.2mm

Altura

0.95mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics

La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

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Empaque de Producción (Rollo)

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Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

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STripFET F7

Tipo de Encapsulado

PowerFLAT 5 x 6

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Número de pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

Largo

6.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

55 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Material del transistor

Anchura

5.2mm

Altura

0.95mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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