MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STL140N6F7, VDSS 60 V, ID 140 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
140A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Series
STripFET F7
Encapsulado
PowerFLAT
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
2mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
55nC
Tensión directa Vf
1.2V
Disipación de potencia máxima Pd
125W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Altura
0.95mm
Longitud
6.15mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
5.2 mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
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MOSFET
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Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
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Series
STripFET F7
Encapsulado
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Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
2mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
55nC
Tensión directa Vf
1.2V
Disipación de potencia máxima Pd
125W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Altura
0.95mm
Longitud
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No
Ancho
5.2 mm
Estándar de automoción
No
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STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.
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