Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Tipo de Producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
110A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Serie
STripFET H7
Encapsulado
PowerFLAT
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
6mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-20, +20V
Tensión directa Vf
1.2V
Disipación de potencia máxima Pd
5W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
60nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
6.35mm
Altura
950μm
Longitud:
5.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
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Empaque de Producción (Rollo)
5
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Tipo de Producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
110A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Serie
STripFET H7
Encapsulado
PowerFLAT
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
6mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-20, +20V
Tensión directa Vf
1.2V
Disipación de potencia máxima Pd
5W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
60nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
6.35mm
Altura
950μm
Longitud:
5.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.