MOSFET STMicroelectronics STL110N10F7, VDSS 100 V, ID 110 A, PowerFLAT 5 x 6 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 786-3726Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STL110N10F7
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

110 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

STripFET H7

Tipo de Encapsulado

PowerFLAT 5 x 6

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Número de Elementos por Chip

1

Largo

5.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

60 nC a 10 V

Anchura

6.35mm

Material del transistor

Si

Altura

0.95mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 20.160

$ 4.032 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)

$ 23.990

$ 4.798,08 Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Cinta
5 - 45$ 4.032$ 20.160
50 - 245$ 3.531$ 17.655
250 - 495$ 2.863$ 14.315
500 - 2995$ 1.988$ 9.940
3000+$ 1.840$ 9.200

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Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

110 A

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100 V

Series

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Tipo de Encapsulado

PowerFLAT 5 x 6

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

5 W

Configuración de transistor

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Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Número de Elementos por Chip

1

Largo

5.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

60 nC a 10 V

Anchura

6.35mm

Material del transistor

Si

Altura

0.95mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

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