Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
STripFET H7
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
60 nC a 10 V
Anchura
6.35mm
Material del transistor
Si
Altura
0.95mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
$ 20.160
$ 4.032 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
$ 23.990
$ 4.798,08 Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)
Estándar
5
$ 20.160
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$ 4.798,08 Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Cinta |
|---|---|---|
| 5 - 45 | $ 4.032 | $ 20.160 |
| 50 - 245 | $ 3.531 | $ 17.655 |
| 250 - 495 | $ 2.863 | $ 14.315 |
| 500 - 2995 | $ 1.988 | $ 9.940 |
| 3000+ | $ 1.840 | $ 9.200 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
STripFET H7
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 5 x 6
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Largo
5.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
60 nC a 10 V
Anchura
6.35mm
Material del transistor
Si
Altura
0.95mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


