MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 100 V, ID 110 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
110A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Serie
STripFET H7
Encapsulado
PowerFLAT
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
6mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
60nC
Tensión directa Vf
1.2V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Disipación de potencia máxima Pd
5W
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Longitud:
5.4mm
Certificaciones y estándares
No
Altura
0.95mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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P.O.A.
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3000
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Serie
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Superficie
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8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
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Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
60nC
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
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5W
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Longitud:
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No
Altura
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No
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