MOSFET STMicroelectronics STI40N65M2, VDSS 650 V, ID 32 A, I2PAK (TO-262) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 876-5676Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STI40N65M2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

32 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

I2PAK (TO-262)

Series

MDmesh M2

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

99 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Anchura

4.6mm

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

56,5 nC a 10 V

Altura

9.35mm

Tensión de diodo directa

1.6V

País de Origen

China

Datos del producto

MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics

Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

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Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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Series

MDmesh M2

Tipo de Montaje

Through Hole

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

99 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Anchura

4.6mm

Material del transistor

Si

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1

Largo

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