Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
22A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Serie
STI28
Encapsulado
I2PAK
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
150mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
1.6V
Disipación de potencia máxima Pd
170W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
36nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
4.6mm
Altura
9.3mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N desarrollados usando la tecnología MDmesh™ M2. Gracias a su disposición de tira y su estructura vertical mejorada, estos dispositivos presentan unas características de conmutación optimizada y baja resistencia de conexión, por lo que son adecuados para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
Volver a intentar más tarde
$ 120.650
$ 2.413 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 143.574
$ 2.871,47 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
50
$ 120.650
$ 2.413 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 143.574
$ 2.871,47 Each (In a Tube of 50) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
50
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | $ 2.413 | $ 120.650 |
| 100 - 200 | $ 2.348 | $ 117.400 |
| 250 - 450 | $ 2.288 | $ 114.400 |
| 500+ | $ 2.232 | $ 111.600 |
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
22A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Serie
STI28
Encapsulado
I2PAK
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
150mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
1.6V
Disipación de potencia máxima Pd
170W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
36nC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
4.6mm
Altura
9.3mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Estos dispositivos son MOSFET de potencia de canal N desarrollados usando la tecnología MDmesh™ M2. Gracias a su disposición de tira y su estructura vertical mejorada, estos dispositivos presentan unas características de conmutación optimizada y baja resistencia de conexión, por lo que son adecuados para los convertidores de alta eficiencia más exigentes.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
