MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 51 A, H2PAK-7, Mejora de 7 pines, config. Canal N

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de canal
Type N
Tipo de Producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
51A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Tipo de Encapsulado
H2PAK-7
Series
STH65N
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
7
Modo de canal
Enhancement
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Configuración de transistor
N-Channel
Certificaciones y estándares
AEC-Q101
Ancho
24.3 mm
Longitud:
15.25mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
1
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de canal
Type N
Tipo de Producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
51A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Tipo de Encapsulado
H2PAK-7
Series
STH65N
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
7
Modo de canal
Enhancement
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Configuración de transistor
N-Channel
Certificaciones y estándares
AEC-Q101
Ancho
24.3 mm
Longitud:
15.25mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China

