MOSFET de potencia STMicroelectronics, N-Canal STH4N150-2AG, VDSS 1500 V, ID 2.6 A, H2PAK-2, MOSFET de 3 pines, config.

Brand

Tipo de Producto

Power MOSFET

Tipo de Canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1500V

Encapsulado

H2PAK-2

Serie

STH4N150

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10Ω

Modo de canal

MOSFET

Disipación de potencia máxima Pd

208W

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

35.1nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Configuración de transistor

MOSFET de canal N

Altura

15.8mm

Largo

10.4mm

Ancho

4.7mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

País de Origen

China