MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH3N150-2, VDSS 1500 V, ID 2.5 A, Mejora, H2PAK de 3 pines

Código de producto RS: 792-5861PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STH3N150-2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1500V

Encapsulado

H2PAK

Series

MDmesh

Tipo de Montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

140W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29.3nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

150°C

Anchura

15.8 mm

Altura

4.8mm

Largo

10.4mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Datos del producto

MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH3N150-2, VDSS 1500 V, ID 2.5 A, Mejora, H2PAK de 3 pines
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

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2

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18P.O.A.
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3

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9Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

140W

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30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29.3nC

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