Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1500V
Series
MDmesh
Encapsulado
H2PAK
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
9Ω
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.2V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
29.3nC
Disipación de potencia máxima Pd
140W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
15.8 mm
Longitud
10.4mm
Altura
4.8mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
2
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2
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STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1500V
Series
MDmesh
Encapsulado
H2PAK
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
9Ω
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.2V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
29.3nC
Disipación de potencia máxima Pd
140W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
15.8 mm
Longitud
10.4mm
Altura
4.8mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
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