Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1500V
Series
MDmesh
Encapsulado
H2PAK
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
9Ω
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.2V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
29.3nC
Disipación de potencia máxima Pd
140W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
15.8 mm
Longitud
10.4mm
Altura
4.8mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 13.450
$ 6.725 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 16.006
$ 8.002,75 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Estándar
2
$ 13.450
$ 6.725 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 16.006
$ 8.002,75 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
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Estándar
2
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | $ 6.725 | $ 13.450 |
| 10 - 18 | $ 6.316 | $ 12.632 |
| 20 - 48 | $ 5.985 | $ 11.970 |
| 50 - 98 | $ 5.646 | $ 11.292 |
| 100+ | $ 5.379 | $ 10.758 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
2.5A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
1500V
Series
MDmesh
Encapsulado
H2PAK
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
9Ω
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.2V
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
29.3nC
Disipación de potencia máxima Pd
140W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
15.8 mm
Longitud
10.4mm
Altura
4.8mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto


