MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STH3N150-2, VDSS 1500 V, ID 2.5 A, Mejora, H2PAK de 3 pines

Brand

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de Canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1500V

Encapsulado

H2PAK

Serie

MDmesh

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

9Ω

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

140W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29.3nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30, +30V

Tensión directa Vf

1.2V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Altura

4.8mm

Longitud:

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Ancho

15.8mm

Estándar de automoción

No