MOSFET STMicroelectronics STH3N150-2, VDSS 1.500 V, ID 2,5 A, H2PAK-2 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 792-5861PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STH3N150-2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

2.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1500 V

Series

MDmesh

Tipo de Encapsulado

H2PAK-2

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

140000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Anchura

15.8mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

29,3 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

4.8mm

Datos del producto

MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STH3N150-2, VDSS 1.500 V, ID 2,5 A, H2PAK-2 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

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2

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14P.O.A.
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18P.O.A.
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3

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9 Ω

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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

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Si

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