
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
180A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Serie
STripFET H7
Encapsulado
H2PAK
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
2.3mΩ
Modo de canal
Enhancement
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
180nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20V
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
315W
Temperatura Máxima de Funcionamiento
175°C
Longitud
15.25mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
10.4mm
Altura
4.8mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
2
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2
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
180A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Serie
STripFET H7
Encapsulado
H2PAK
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
2.3mΩ
Modo de canal
Enhancement
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
180nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20V
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
315W
Temperatura Máxima de Funcionamiento
175°C
Longitud
15.25mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
10.4mm
Altura
4.8mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.