MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, H2PAK de 7 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
180A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
H2PAK
Series
STripFET H7
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
2.3mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
315W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
180nC
Tensión directa Vf
1.3V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
10.4 mm
Altura
4.8mm
Longitud
15.25mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 4.232.000
$ 4.232 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 5.036.080
$ 5.036,08 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
1000
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Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
H2PAK
Series
STripFET H7
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
7
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
2.3mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
315W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
180nC
Tensión directa Vf
1.3V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
10.4 mm
Altura
4.8mm
Longitud
15.25mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
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Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
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