MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH310N10F7-2, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, H2PAK de 3 pines

Código de producto RS: 786-3707Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STH310N10F7-2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Tipo de Encapsulado

H2PAK

Series

STripFET H7

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.3mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

315W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

180nC

Tensión directa Vf

1.5V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Ancho

10.4 mm

Altura

4.8mm

Largo

15.8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Datos del producto

STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 6.458 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

$ 15.370

$ 7.685,02 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)

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Series

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Surface

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3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.3mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

315W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

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180nC

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Ancho

10.4 mm

Altura

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Largo

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No

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