MOSFET STMicroelectronics STH310N10F7-2, VDSS 100 V, ID 180 A, H2PAK-2 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 786-3707PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STH310N10F7-2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

180 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

STripFET H7

Tipo de Encapsulado

H2PAK-2

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

315 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

10.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

180 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

4.8mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STH310N10F7-2, VDSS 100 V, ID 180 A, H2PAK-2 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

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6P.O.A.
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16P.O.A.
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20P.O.A.
22P.O.A.
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Tipo de Encapsulado

H2PAK-2

Tipo de Montaje

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Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

315 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

10.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

180 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

4.8mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

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