Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
180A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
80V
Encapsulado
H2PAK
Serie
STripFET H7
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
21mΩ
Modo de canal
Enhancement
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
193nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20V
Disipación de potencia máxima Pd
315W
Tensión directa Vf
1.2V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Altura
4.8mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
15.8mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
Volver a intentar más tarde
$ 14.554
$ 7.277 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 17.319
$ 8.659,63 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Estándar
2
$ 14.554
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$ 17.319
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2
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | $ 7.277 | $ 14.554 |
| 10 - 18 | $ 6.843 | $ 13.686 |
| 20 - 48 | $ 6.497 | $ 12.994 |
| 50 - 98 | $ 6.135 | $ 12.270 |
| 100+ | $ 5.820 | $ 11.640 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
180A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
80V
Encapsulado
H2PAK
Serie
STripFET H7
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
21mΩ
Modo de canal
Enhancement
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
193nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20V
Disipación de potencia máxima Pd
315W
Tensión directa Vf
1.2V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Altura
4.8mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
15.8mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.