MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH200N10WF7-2, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, H2PAK-2 de 3 pines

Brand

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Tipo de Encapsulado

H2PAK-2

Serie

STH200

Tipo de soporte

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4mΩ

Modo de canal

Enhancement

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

93nC

Disipación de potencia máxima Pd

340W

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Certificaciones y estándares

DIN EN ISO 6789-2:2017

Estándar de automoción

No