MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STH150N10F7-2, VDSS 100 V, ID 110 A, Mejora, H2PAK de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
110A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
H2PAK
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
3.9mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
250W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
117nC
Tensión directa Vf
1.2V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
10.57 mm
Altura
4.8mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 9.010
$ 4.505 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 10.722
$ 5.360,95 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Estándar
2
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | $ 4.505 | $ 9.010 |
| 10 - 18 | $ 4.276 | $ 8.552 |
| 20 - 48 | $ 3.851 | $ 7.702 |
| 50 - 98 | $ 3.465 | $ 6.930 |
| 100+ | $ 3.300 | $ 6.600 |
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Encapsulado
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Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
3.9mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
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Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
117nC
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Temperatura Máxima de Operación
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Ancho
10.57 mm
Altura
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Longitud
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No
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