
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
110A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
H2PAK
Serie
DeepGate, STripFET
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
3.9mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
250W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
117nC
Tensión directa Vf
1.2V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Altura
4.8mm
Longitud:
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
2
P.O.A.
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2
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
110A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
H2PAK
Serie
DeepGate, STripFET
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
3.9mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
250W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
117nC
Tensión directa Vf
1.2V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Altura
4.8mm
Longitud:
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto