MOSFET STMicroelectronics STH150N10F7-2, VDSS 100 V, ID 110 A, H2PAK-2 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 860-7523Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STH150N10F7-2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

110 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

DeepGate, STripFET

Tipo de Encapsulado

H2PAK-2

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

10.57mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

117 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

4.8mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 9.010

$ 4.505 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

$ 10.722

$ 5.360,95 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)

MOSFET STMicroelectronics STH150N10F7-2, VDSS 100 V, ID 110 A, H2PAK-2 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2$ 9.010
4$ 18.020
6$ 27.030
8$ 36.040
10$ 42.760
12$ 51.312
14$ 59.864
16$ 68.416
18$ 76.968
20$ 77.020
22$ 84.722
24$ 92.424
26$ 100.126
28$ 107.828
30$ 115.530

$ 9.010

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$ 10.722

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2

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2$ 9.010
4$ 18.020
6$ 27.030
8$ 36.040
10$ 42.760
12$ 51.312
14$ 59.864
16$ 68.416
18$ 76.968
20$ 77.020
22$ 84.722
24$ 92.424
26$ 100.126
28$ 107.828
30$ 115.530

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
2 - 8$ 4.505$ 9.010
10 - 18$ 4.276$ 8.552
20 - 48$ 3.851$ 7.702
50 - 98$ 3.465$ 6.930
100+$ 3.300$ 6.600

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N

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Series

DeepGate, STripFET

Tipo de Encapsulado

H2PAK-2

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

10.57mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

117 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

4.8mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

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