MOSFET STMicroelectronics STH150N10F7-2, VDSS 100 V, ID 110 A, H2PAK-2 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
110 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
DeepGate, STripFET
Tipo de Encapsulado
H2PAK-2
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
117 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
10.57mm
Altura
4.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Tipo de Encapsulado
H2PAK-2
Tipo de Montaje
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Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
117 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
10.57mm
Altura
4.8mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
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