MOSFET STMicroelectronics STH150N10F7-2, VDSS 100 V, ID 110 A, H2PAK-2 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 860-7523Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STH150N10F7-2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

110 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

H2PAK-2

Series

DeepGate, STripFET

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

117 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

10.57mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

4.8mm

Datos del producto

STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 4.456

Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

$ 5.302,64

Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)

MOSFET STMicroelectronics STH150N10F7-2, VDSS 100 V, ID 110 A, H2PAK-2 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2$ 8.912
4$ 17.824
6$ 26.736
8$ 35.648
10$ 42.300
12$ 50.760
14$ 59.220
16$ 67.680
18$ 76.140
20$ 76.260
22$ 83.886
24$ 91.512
26$ 99.138
28$ 106.764
30$ 114.390

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4$ 17.824
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12$ 50.760
14$ 59.220
16$ 67.680
18$ 76.140
20$ 76.260
22$ 83.886
24$ 91.512
26$ 99.138
28$ 106.764
30$ 114.390

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
2 - 8$ 4.456$ 8.912
10 - 18$ 4.230$ 8.460
20 - 48$ 3.813$ 7.626
50 - 98$ 3.433$ 6.866
100+$ 3.258$ 6.516

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N

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H2PAK-2

Series

DeepGate, STripFET

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10.4mm

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117 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

10.57mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

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