MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 100 V, ID 110 A, Mejora, H2PAK de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
110A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
H2PAK
Serie
DeepGate, STripFET
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
3.9mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
250W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
117nC
Tensión directa Vf
1.2V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Profundidad
10.57 mm
Altura
4.8mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 2.501.000
$ 2.501 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 2.976.190
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1000
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Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
H2PAK
Serie
DeepGate, STripFET
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
3.9mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
250W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
117nC
Tensión directa Vf
1.2V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Profundidad
10.57 mm
Altura
4.8mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N DeepGate™, STMicroelectronics
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