STMicroelectronics IGBT, STGYA75H120DF2, Tipo N-Canal, 150 A, 1200 V, Max247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHZ

El IGBT de STMicroelectronics desarrollado con una avanzada estructura de parada de campo de puerta de zanja propia. Este dispositivo forma parte de la serie H de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre conducción y pérdidas de conmutación para maximizar la eficiencia de los convertidores de alta frecuencia de conmutación. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada proporcionan un funcionamiento en paralelo más seguro.

• Temperatura de unión máxima TJ = 17ºC
• 5 μs de tiempo de resistencia a cortocircuitos
• VCE(sat) = 2,1 V (típ.) a IC = 75 A
• Distribución de parámetros ajustada
• Coeficiente de temperatura VCE(sat) positivo
• Resistencia térmica baja
• Diodo antiparalelo de recuperación muy rápida