
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
150A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
1200V
Disipación de potencia máxima Pd
750W
Tipo de Pack
Max247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.6V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El IGBT de STMicroelectronics desarrollado con una avanzada estructura de parada de campo de puerta de zanja propia. Este dispositivo forma parte de la serie H de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre conducción y pérdidas de conmutación para maximizar la eficiencia de los convertidores de alta frecuencia de conmutación. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada proporcionan un funcionamiento en paralelo más seguro.
Volver a intentar más tarde
$ 375.180
$ 12.506 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 446.464
$ 14.882,14 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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$ 446.464
$ 14.882,14 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
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30
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
150A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
1200V
Disipación de potencia máxima Pd
750W
Tipo de Pack
Max247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2.6V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El IGBT de STMicroelectronics desarrollado con una avanzada estructura de parada de campo de puerta de zanja propia. Este dispositivo forma parte de la serie H de IGBT, que representa un compromiso óptimo entre conducción y pérdidas de conmutación para maximizar la eficiencia de los convertidores de alta frecuencia de conmutación. Además, un coeficiente de temperatura VCE(sat) ligeramente positivo y una distribución de parámetros muy ajustada proporcionan un funcionamiento en paralelo más seguro.