STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 650 V, TO-3P, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
650V
Disipación de potencia máxima Pd
469W
Encapsulado
TO-3P
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Series
HB
Estándar de automoción
No
País de Origen
Korea, Republic Of
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 243.330
$ 8.111 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 289.563
$ 9.652,09 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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30
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | $ 8.111 | $ 243.330 |
| 60 - 120 | $ 6.489 | $ 194.670 |
| 150+ | $ 5.887 | $ 176.610 |
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
650V
Disipación de potencia máxima Pd
469W
Encapsulado
TO-3P
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Series
HB
Estándar de automoción
No
País de Origen
Korea, Republic Of
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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