IGBT, STGWT80H65DFB, N-Canal, 120 A, 650 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Código de producto RS: 829-7136PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STGWT80H65DFB
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Maximum Continuous Collector Current

120 A

Maximum Collector Emitter Voltage

650 V

Maximum Gate Emitter Voltage

±20V

Maximum Power Dissipation

469 W

Package Type

TO-3P

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.8 x 5 x 20.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Datos del producto

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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P.O.A.

IGBT, STGWT80H65DFB, N-Canal, 120 A, 650 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

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STMicroelectronics

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120 A

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469 W

Package Type

TO-3P

Mounting Type

Through Hole

Channel Type

N

Pin Count

3

Switching Speed

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensions

15.8 x 5 x 20.1mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Maximum Operating Temperature

+175 °C

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Discretos IGBT, STMicroelectronics

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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