IGBT, STGWT80H65DFB, N-Canal, 120 A, 650 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
120 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
469 W
Tipo de Encapsulado
TO-3P
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.8 x 5 x 20.1mm
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Korea, Republic Of
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Volver a intentar más tarde
$ 243.330
$ 8.111 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 289.563
$ 9.652,09 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
$ 243.330
$ 8.111 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 289.563
$ 9.652,09 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
30
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | $ 8.111 | $ 243.330 |
| 60 - 120 | $ 6.489 | $ 194.670 |
| 150+ | $ 5.887 | $ 176.610 |
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente Máxima Continua del Colector
120 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
469 W
Tipo de Encapsulado
TO-3P
Tipo de Montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Configuración de transistor
Single
Dimensiones del Cuerpo
15.8 x 5 x 20.1mm
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Korea, Republic Of
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos