STMicroelectronics IGBT, STGWT80H65DFB, Tipo N-Canal, 650 V, TO-3P, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz

Código de producto RS: 829-7136PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STGWT80H65DFB
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

469W

Encapsulado

TO-3P

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Type N

Número de pines

3

Velocidad de Comnutación

1MHz

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Series

HB

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

Datos del producto

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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P.O.A.

STMicroelectronics IGBT, STGWT80H65DFB, Tipo N-Canal, 650 V, TO-3P, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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