IGBT, STGWT60V60DLF, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple

Código de producto RS: 791-7671PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STGWT60V60DLF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

60 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Tipo de Encapsulado

TO-3P

Tipo de Montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Número de pines

3

Velocidad de Comnutación

1MHz

Configuración de transistor

Single

Dimensiones

15.7 x 5.7 x 26.7mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Datos del producto

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

IGBT, STGWT60V60DLF, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines, 1MHZ Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

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±20V

Disipación de Potencia Máxima

375000 mW

Tipo de Encapsulado

TO-3P

Tipo de Montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Número de pines

3

Velocidad de Comnutación

1MHz

Configuración de transistor

Single

Dimensiones

15.7 x 5.7 x 26.7mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

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Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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