STMicroelectronics IGBT, Tipo N-Canal, 80 A, 650 V, TO-3P, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
IGBT
Corriente continua máxima de colector Ic
80A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
650V
Disipación de potencia máxima Pd
375W
Encapsulado
TO-3P
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Series
HB
Estándar de automoción
No
País de Origen
Korea, Republic Of
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 117.450
$ 3.915 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 139.766
$ 4.658,85 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
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30
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | $ 3.915 | $ 117.450 |
| 60 - 120 | $ 3.816 | $ 114.480 |
| 150+ | $ 3.720 | $ 111.600 |
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IGBT
Corriente continua máxima de colector Ic
80A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
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Disipación de potencia máxima Pd
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Encapsulado
TO-3P
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
±20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Series
HB
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No
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Korea, Republic Of
Datos del producto
Discretos IGBT, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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