STMicroelectronics IGBT, STGWT30H60DFB, Tipo N-Canal, 60 A, 600 V, TO-3P, 3 pines Orificio pasante

Código de producto RS: 860-7325PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STGWT30H60DFB
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Corriente continua máxima de colector Ic

60A

Tipo de Producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

600V

Disipación de potencia máxima Pd

260W

Encapsulado

TO-3P

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Type N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Series

HB

Estándar de automoción

No

Datos del producto

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

STMicroelectronics IGBT, STGWT30H60DFB, Tipo N-Canal, 60 A, 600 V, TO-3P, 3 pines Orificio pasante
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

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20P.O.A.
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Disipación de potencia máxima Pd

260W

Encapsulado

TO-3P

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Type N

Número de pines

3

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

±20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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Máxima Temperatura de Funcionamiento

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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