IGBT, STGWT30H60DFB, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines Simple

Código de producto RS: 860-7325Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STGWT30H60DFB
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

60 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Disipación de Potencia Máxima

260 W

Tipo de Encapsulado

TO-3P

Tipo de Montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Configuración de transistor

Single

Dimensiones del Cuerpo

15.8 x 5 x 14.1mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Datos del producto

Discretos IGBT, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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$ 10.112

$ 5.056 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)

$ 12.033

$ 6.016,64 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)

IGBT, STGWT30H60DFB, N-Canal, 60 A, 600 V, TO-3P, 3-Pines Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2$ 10.112
4$ 20.224
6$ 30.336
8$ 40.448
10$ 50.560
12$ 60.672
14$ 70.784
16$ 80.896
18$ 91.008
20$ 101.120
22$ 111.232
24$ 121.344
26$ 131.456
28$ 141.568
30$ 151.680

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12$ 60.672
14$ 70.784
16$ 80.896
18$ 91.008
20$ 101.120
22$ 111.232
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26$ 131.456
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Tipo de Encapsulado

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Tipo de Montaje

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N

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