STMicroelectronics IGBT, STGWA75H65DFB2, Tipo N-Canal, 115 A, 650 V, TO-247, 3 pines Orificio pasante, 1 MHz

Código de producto RS: 206-7212PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STGWA75H65DFB2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Corriente continua máxima de colector Ic

115A

Tipo de Producto

IGBT

Tensión Colector-Emisor máxima VCEO

650V

Disipación de potencia máxima Pd

357W

Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Type N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHz

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Temperatura Mínima de Operación

-55°C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Longitud

15.9mm

Altura

5.1mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Serie

STG

Estándar de automoción

No

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P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

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IGBT

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Disipación de potencia máxima Pd

357W

Encapsulado

TO-247

Tipo de Montaje

Orificio pasante

Tipo de canal

Type N

Número de pines

3

Velocidad de conmutación

1MHz

Tensión máxima del emisor de puerta VGEO

20 V

Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT

2V

Temperatura Mínima de Operación

-55°C

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175°C

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