
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
115A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
650V
Disipación de potencia máxima Pd
357W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
15.9mm
Altura
5.1mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
STG
Estándar de automoción
No
Datos del producto
IGBT Trench Gate de parada de campo, STMicroelectronics, serie HB2 de 650 V, 75 A, alta velocidad en un encapsulado de cables largos TO-247.
Volver a intentar más tarde
$ 172.950
$ 5.765 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 205.810
$ 6.860,35 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
30
$ 172.950
$ 5.765 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
$ 205.810
$ 6.860,35 Each (In a Tube of 30) (IVA Inc.)
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30
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 90 | $ 5.765 | $ 172.950 |
| 120 - 240 | $ 4.605 | $ 138.150 |
| 270 - 480 | $ 4.341 | $ 130.230 |
| 510 - 990 | $ 4.188 | $ 125.640 |
| 1020+ | $ 4.082 | $ 122.460 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsCorriente continua máxima de colector Ic
115A
Tipo de Producto
IGBT
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
650V
Disipación de potencia máxima Pd
357W
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Tipo de canal
Type N
Número de pines
3
Velocidad de Comnutación
1MHz
Tensión máxima del emisor de puerta VGEO
20 V
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud
15.9mm
Altura
5.1mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
STG
Estándar de automoción
No
Datos del producto
IGBT Trench Gate de parada de campo, STMicroelectronics, serie HB2 de 650 V, 75 A, alta velocidad en un encapsulado de cables largos TO-247.